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公开(公告)号：CN116133424A
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202211168507.9
申请日：2022-09-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B12/00
Abstract: 提供一种半导体装置及其制造方法。半导体装置包括衬底，衬底包括单元区和外围区。着陆焊盘和接触插塞分别在单元区和外围区上。第一填料图案填充所述着陆焊盘之间以及所述接触插塞之间的区域。外部空隙在所述第一填料图案中，并且包括分别在单元区和外围区上的第一外部空隙和第二外部空隙。第二填料图案覆盖所述第一填料图案和所述接触插塞，并且填充所述第二外部空隙的至少一部分。内部空隙位于所述第二外部空隙中，并且由所述第二填料图案包围。第一填料图案和第二填料图案包括相同的材料。在单元区上，第二填料图案的至少一部分的位置低于着陆焊盘的顶表面的位置，并且第二填料图案的底表面通过第一外部空隙部分暴露出来。
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