公开(公告)号：CN108711571A

公开(公告)日：2018-10-26

申请号：CN201810281544.8

申请日：2018-04-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 韩升煜 ,  金泽龙 ,  山田悟 ,  林浚熙 ,  许基宰

IPC: H01L27/02 ,  H01L27/115 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L27/092 ,  G11C11/4085 ,  G11C11/4097 ,  H01L21/76229 ,  H01L21/823878 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/5283 ,  H01L27/0207 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/4238 ,  H01L27/115 ,  H01L29/0603 ,  H01L29/0684

Abstract: 一种半导体器件包括：第一有源区域和第二有源区域，第一有源区域和第二有源区域在衬底上在第一方向上延伸并且在交叉第一方向的第二方向上彼此间隔开，其中第一有源区域和第二有源区域在第二方向上彼此重叠；第三有源区域，其在衬底上在第一方向上延伸并且在第二方向上与第一有源区域间隔开。第一有源区域在第二方向上定位在第二有源区域与第三有源区之间。第一有源区域和第三有源区域在第二方向上部分地重叠，并且器件隔离膜被构造为限定第一有源区域至第三有源区域。

公开(公告)号：CN108711571B

公开(公告)日：2023-09-05

申请号：CN201810281544.8

申请日：2018-04-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 韩升煜 ,  金泽龙 ,  山田悟 ,  林浚熙 ,  许基宰

IPC: H01L27/02 ,  H10B69/00 ,  H01L29/06

Abstract: 一种半导体器件包括：第一有源区域和第二有源区域，第一有源区域和第二有源区域在衬底上在第一方向上延伸并且在交叉第一方向的第二方向上彼此间隔开，其中第一有源区域和第二有源区域在第二方向上彼此重叠；第三有源区域，其在衬底上在第一方向上延伸并且在第二方向上与第一有源区域间隔开。第一有源区域在第二方向上定位在第二有源区域与第三有源区之间。第一有源区域和第三有源区域在第二方向上部分地重叠，并且器件隔离膜被构造为限定第一有源区域至第三有源区域。