操作闪存和存储装置的方法
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117995245A

    公开(公告)日:2024-05-07

    申请号:CN202311000907.3

    申请日:2023-08-09

    Abstract: 本公开提供了操作闪存和存储装置的方法,所述方法用于在表面安装技术(SMT)工艺之前对操作系统(OS)数据进行编程。在一些实施例中,该方法包括:擦除存储器块中的多个存储器单元;通过将预编程电压施加到结合到存储器块的字线,来减少在SMT工艺期间由于高温劣化引起的所述多个存储器单元的横向电荷损失;以及在执行SMT工艺之前,在所述多个存储器单元中执行操作系统数据的多位编程。预编程电压的施加使得所述多个存储器单元的阈值电压增大。

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