公开(公告)号：CN101459220B

公开(公告)日：2013-01-23

申请号：CN200810189889.7

申请日：2008-09-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李将银 ,  金大谦 ,  郑峻昊 ,  吴世忠 ,  南坰兑 ,  沈贤准

IPC: H01L45/00 ,  G11C11/56 ,  G11C16/02

CPC classification number: H01L45/04 ,  H01L27/2418 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1253 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1633

Abstract: 本发明提供一种形成电阻存储器的方法，包括：在包括导电图案的半导体衬底上形成绝缘层，在绝缘层内形成接触孔以暴露导电图案，在接触孔内形成下部电极，在接触孔内在下部电极上形成可变电阻氧化层，在接触孔内在可变电阻氧化层上形成中间电极，在中间电极和绝缘层上形成缓冲氧化层，以及在缓冲氧化层上形成上部电极。本发明也公开了相关电阻存储器。

公开(公告)号：CN101459220A

公开(公告)日：2009-06-17

申请号：CN200810189889.7

申请日：2008-09-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李将银 ,  金大谦 ,  郑峻昊 ,  吴世忠 ,  南坰兑 ,  沈贤准

IPC: H01L45/00 ,  G11C11/56 ,  G11C16/02

CPC classification number: H01L45/04 ,  H01L27/2418 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1253 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1633

Abstract: 本发明提供一种形成电阻存储器的方法，包括：在包括导电图案的半导体衬底上形成绝缘层，在绝缘层内形成接触孔以暴露导电图案，在接触孔内形成下部电极，在接触孔内在下部电极上形成可变电阻氧化层，在接触孔内在可变电阻氧化层上形成中间电极，在中间电极和绝缘层上形成缓冲氧化层，以及在缓冲氧化层上形成上部电极。本发明也公开了相关电阻存储器。