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公开(公告)号：CN118057929A
公开(公告)日：2024-05-21
申请号：CN202311506109.8
申请日：2023-11-13
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种半导体器件及其制造方法。所述半导体器件可以包括栅电极、延伸穿过所述栅电极的沟道、第一贯穿通路、第一分隔绝缘层、第二分隔绝缘层和绝缘图案，所述栅电极在衬底上沿第一方向彼此间隔开并且包括阶梯形状的焊盘。所述栅电极可以包括位于第一栅电极下方的第二栅电极。所述第一贯穿通路可以穿过并且电连接到所述第一栅电极的第一焊盘，穿过所述第二栅电极，并且包括连接到导电柱的连接部分。所述连接部分可以接触所述第一焊盘。所述第一分隔绝缘层可以位于所述连接部分的上表面上。所述第二分隔绝缘层可以位于所述连接部分的底表面上。所述绝缘图案可以位于所述第一贯穿通路与所述第二栅电极的侧壁之间。
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