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发明公开
硅通孔标记以及包含硅通孔标记的半导体器件和封装件审中-实审

公开(公告)号：CN114446908A

公开(公告)日：2022-05-06

申请号：CN202111004796.4

申请日：2021-08-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金勇烨 , 吴世一 , 金恩知 , 朴光郁 , 柳志学

IPC: H01L23/48 , H01L23/544

Abstract: 一种用于套刻测量的硅通孔(TSV)标记包括：第一TSV，在与衬底的顶表面垂直的第一方向上延伸穿过衬底的至少一部分；以及至少一个环形图案，在与衬底的顶表面平行的第二方向上与第一TSV分开并围绕第一TSV，至少一个环形图案布置在沿第一方向比第一TSV的顶表面低的层中，其中，内测量点对应于第一TSV，外测量点对应于至少一个环形图案，并且内测量点和外测量点被布置为提供对TSV的套刻测量。

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