半导体封装件
    1.
    发明公开
    半导体封装件 审中-公开

    公开(公告)号:CN119725295A

    公开(公告)日:2025-03-28

    申请号:CN202411172311.6

    申请日:2024-08-26

    Abstract: 一种半导体封装件包括:第一布线结构;延伸结构,所述延伸结构设置在所述第一布线结构上,包括延伸基体层和多个通路结构,并且具有穿过所述延伸基体层的安装空间,其中,所述多个通路结构包括多个通路连接图案;半导体芯片,所述半导体芯片设置在所述安装空间中并且电连接到所述第一布线结构;填充绝缘层,所述填充绝缘层填充所述安装空间;以及第二布线结构,所述第二布线结构设置在所述延伸结构和所述填充绝缘层上并且电连接到所述第一布线结构。所述多个通路连接图案当中的最下面的通路连接图案包括多个第一下连接焊盘,并且所述延伸基体层包括分别穿过所述多个第一下连接焊盘的基体坝。

    扇出型半导体封装件
    2.
    发明授权

    公开(公告)号:CN110783296B

    公开(公告)日:2024-06-25

    申请号:CN201910614973.7

    申请日:2019-07-09

    Inventor: 金凤守

    Abstract: 本发明提供一种扇出型半导体封装件,所述扇出型半导体封装件包括:框架,包括第一绝缘层至第三绝缘层、第一布线层和第二布线层并具有贯穿第一绝缘层至第三绝缘层的通孔,第一布线层设置在第一绝缘层的第一表面上并嵌入第二绝缘层中,第二布线层设置在第三绝缘层上;半导体芯片,设置在通孔中并具有设置有连接焊盘的有效表面和与有效表面相对的无效表面;包封剂,覆盖框架和半导体芯片中的每个的至少部分并填充通孔的至少部分;以及连接结构,设置在框架和半导体芯片的有效表面上,并包括电连接到连接焊盘的重新分布层。第一布线层和第二布线层电连接到连接焊盘。

    扇出型半导体封装件
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN110783296A

    公开(公告)日:2020-02-11

    申请号:CN201910614973.7

    申请日:2019-07-09

    Inventor: 金凤守

    Abstract: 本发明提供一种扇出型半导体封装件,所述扇出型半导体封装件包括:框架,包括第一绝缘层至第三绝缘层、第一布线层和第二布线层并具有贯穿第一绝缘层至第三绝缘层的通孔,第一布线层设置在第一绝缘层的第一表面上并嵌入第二绝缘层中,第二布线层设置在第三绝缘层上;半导体芯片,设置在通孔中并具有设置有连接焊盘的有效表面和与有效表面相对的无效表面;包封剂,覆盖框架和半导体芯片中的每个的至少部分并填充通孔的至少部分;以及连接结构,设置在框架和半导体芯片的有效表面上,并包括电连接到连接焊盘的重新分布层。第一布线层和第二布线层电连接到连接焊盘。

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