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发明公开
半导体器件审中-实审

公开(公告)号：CN114582964A

公开(公告)日：2022-06-03

申请号：CN202110819234.9

申请日：2021-07-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 廉东赫 , 金俊谦 , 李宽钦 , 朴成华 , 徐昭贤

IPC: H01L29/423 , H01L29/417 , H01L27/088

Abstract: 一种半导体器件包括：位于衬底上的有源图案、位于所述有源图案上的源极/漏极图案、连接至所述源极/漏极图案并且包括间隔开的垂直堆叠的半导体图案的沟道图案、以及横跨所述沟道图案延伸的栅电极。所述半导体图案包括第一半导体图案和第二半导体图案。所述栅电极包括位于所述衬底与所述第一半导体图案之间的第一部分以及位于所述第一半导体图案与第二半导体图案之间的第二部分。所述第一部分的宽度随着所述第一部分的深度而变化，使得所述第一部分的中部的宽度小于所述第一部分的下部的宽度和所述第一部分的上部的宽度。

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