具有阻挡层的集成电路器件

    公开(公告)号:CN109285833B

    公开(公告)日:2023-05-02

    申请号:CN201810723993.3

    申请日:2018-07-04

    Abstract: 一种集成电路器件可以包括在衬底的栅极沟槽的内表面上的栅极电介质层、在栅极电介质层上填充栅极沟槽的一部分的栅极结构、以及在栅极沟槽中在栅极结构的上表面上的绝缘盖图案。栅极结构可以包括具有第一功函数的下栅线、具有比第一功函数低的第二功函数的上栅线、在下栅线与上栅线之间的第一阻挡层以及在上栅线与绝缘盖图案之间的第二阻挡层。

    具有阻挡层的集成电路器件

    公开(公告)号:CN109285833A

    公开(公告)日:2019-01-29

    申请号:CN201810723993.3

    申请日:2018-07-04

    Abstract: 一种集成电路器件可以包括在衬底的栅极沟槽的内表面上的栅极电介质层、在栅极电介质层上填充栅极沟槽的一部分的栅极结构、以及在栅极沟槽中在栅极结构的上表面上的绝缘盖图案。栅极结构可以包括具有第一功函数的下栅线、具有比第一功函数低的第二功函数的上栅线、在下栅线与上栅线之间的第一阻挡层以及在上栅线与绝缘盖图案之间的第二阻挡层。

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