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公开(公告)号:CN106487704B
公开(公告)日:2021-07-27
申请号:CN201610797865.4
申请日:2016-08-31
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04L12/803 , H04L29/08 , H04L29/06
Abstract: 服务器设备包括:多个接口电路,被配置为与网络连接并且在网络分组与数据块之间执行格式转换,该网络分组是与网络通信的分组,该数据块遵从内部格式;多个存储器模块,彼此独立地进行操作;以及切换电路,连接在多个接口电路与多个存储器模块之间,该切换电路被配置为基于从多个接口电路所传送的第一数据块的属性来从多个存储器模块当中选择至少一个存储器模块,并且将第一数据块发送到所选择的存储器模块,其中,所选择的至少一个存储器模块被配置为对第一数据块进行解码并且基于解码结果执行与第一数据块相关联的读取操作或写入操作。
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公开(公告)号:CN106487704A
公开(公告)日:2017-03-08
申请号:CN201610797865.4
申请日:2016-08-31
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04L12/803 , H04L29/08 , H04L29/06
CPC classification number: H04L67/1097 , G06F9/5016 , G06F9/5083 , G06F12/023 , G06F12/0253 , G06F2212/1044 , G06F2212/702 , H04L67/1002 , H04L67/1076 , H04L69/16
Abstract: 服务器设备包括:多个接口电路,被配置为与网络连接并且在网络分组与数据块之间执行格式转换,该网络分组是与网络通信的分组,该数据块遵从内部格式;多个存储器模块,彼此独立地进行操作;以及切换电路,连接在多个接口电路与多个存储器模块之间,该切换电路被配置为基于从多个接口电路所传送的第一数据块的属性来从多个存储器模块当中选择至少一个存储器模块,并且将第一数据块发送到所选择的存储器模块,其中,所选择的至少一个存储器模块被配置为对第一数据块进行解码并且基于解码结果执行与第一数据块相关联的读取操作或写入操作。
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公开(公告)号:CN101221812B
公开(公告)日:2012-04-18
申请号:CN200710305150.3
申请日:2007-08-28
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C16/102 , G11C11/5628 , G11C16/3418
Abstract: 本发明提供一种在非易失性存储器件中执行多页复录编程的方法,其中,所述非易失性存储器件包括具有多个存储块的存储器。响应于所产生的多页复录编程命令而对具有第一地址的存储块的数据页进行替换。判断数据页的第一地址是否与所存储的检测到错误的页的地址相同。如果判断出所述第一地址和所存储的地址不相同,则增加所述第一地址。替换数据页,比较地址,并且增加地址,直到判断出所增加的地址和所存储的地址相同为止。在此还提供相关的器件和系统。
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公开(公告)号:CN101221812A
公开(公告)日:2008-07-16
申请号:CN200710305150.3
申请日:2007-08-28
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C16/102 , G11C11/5628 , G11C16/3418
Abstract: 本发明提供一种在非易失性存储器件中执行多页复录编程的方法,其中,所述非易失性存储器件包括具有多个存储块的存储器。响应于所产生的多页复录编程命令而对具有第一地址的存储块的数据页进行替换。判断数据页的第一地址是否与所存储的检测到错误的页的地址相同。如果判断出所述第一地址和所存储的地址不相同,则增加所述第一地址。替换数据页,比较地址,并且增加地址,直到判断出所增加的地址和所存储的地址相同为止。在此还提供相关的器件和系统。
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公开(公告)号:CN101159168A
公开(公告)日:2008-04-09
申请号:CN200710004057.9
申请日:2007-01-23
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了一种半导体器件,包括存储单元阵列和命令接口,所述命令接口被配置成从半导体存储器件的外部接收命令。命令接口还被配置成解释所接收的命令,并且确定所接收的命令是否是连续操作命令。命令接口输出与命令相对应的命令信号,以及至少一个标记信号,如果命令是连续操作命令,则所述标记信号表示连续操作时间段。控制单元被配置成接收从命令接口输出的命令信号和至少一个标记信号,并且基于所接收的命令信号和至少一个标记信号来产生泵控制信号。电荷泵被配置成响应于泵控制信号,产生供存取存储单元阵列以读、写、和/或擦除数据之用的电压。
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公开(公告)号:CN101159168B
公开(公告)日:2012-06-13
申请号:CN200710004057.9
申请日:2007-01-23
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了一种半导体器件,包括存储单元阵列和命令接口,所述命令接口被配置成从半导体存储器件的外部接收命令。命令接口还被配置成解释所接收的命令,并且确定所接收的命令是否是连续操作命令。命令接口输出与命令相对应的命令信号,以及至少一个标记信号,如果命令是连续操作命令,则所述标记信号表示连续操作时间段。控制单元被配置成接收从命令接口输出的命令信号和至少一个标记信号,并且基于所接收的命令信号和至少一个标记信号来产生泵控制信号。电荷泵被配置成响应于泵控制信号,产生供存取存储单元阵列以读、写、和/或擦除数据之用的电压。
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