公开(公告)号：CN119314528A

公开(公告)日：2025-01-14

申请号：CN202410810350.8

申请日：2024-06-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜永山 ,  李云镐 ,  郑贞昊 ,  崔宗圭

IPC: G11C7/10

Abstract: 公开了存储器装置及用于校准存储器装置的阻抗的方法。所述存储器装置包括：存储器单元阵列；输入/输出电路，控制输入和输出存储在存储器单元阵列中的数据；阻抗校准电路，基于连接到阻抗垫的外部电阻器生成阻抗校准码，以作为施加的阻抗校准码施加至输入/输出电路；以及校准控制电路，将从阻抗校准电路接收的新的阻抗校准码与校准码范围进行比较，以当新的阻抗校准码包括在校准码范围中时，生成校准码更新标志。当接收到校准码更新标志时，阻抗校准电路利用新的阻抗校准码更新施加的阻抗校准码。

公开(公告)号：CN116913352A

公开(公告)日：2023-10-20

申请号：CN202211651231.X

申请日：2022-12-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜永山 ,  金东姬 ,  郑贞昊 ,  曹俊豪

IPC: G11C29/12 ,  G11C11/401 ,  G06F9/30

Abstract: 一种半导体存储器件包括：存储器核，所述存储器核包括存储单元并且被配置为响应于读取请求来输出存储在所述存储单元中的核数据；命令译码器，所述命令译码器被配置为对从外部装置输入的至少一个命令进行译码；命令日志寄存器，所述命令日志寄存器被配置为响应于寄存器使能信号来顺序地存储所述至少一个命令并且响应于命令日志读取信号将所述至少一个命令输出为命令日志；以及模式寄存器组，所述模式寄存器组被配置为响应于发送到所述命令译码器的模式寄存器组命令来生成所述寄存器使能信号或所述命令日志读取信号。