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公开(公告)号:CN116913352A
公开(公告)日:2023-10-20
申请号:CN202211651231.X
申请日:2022-12-21
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C29/12 , G11C11/401 , G06F9/30
Abstract: 一种半导体存储器件包括:存储器核,所述存储器核包括存储单元并且被配置为响应于读取请求来输出存储在所述存储单元中的核数据;命令译码器,所述命令译码器被配置为对从外部装置输入的至少一个命令进行译码;命令日志寄存器,所述命令日志寄存器被配置为响应于寄存器使能信号来顺序地存储所述至少一个命令并且响应于命令日志读取信号将所述至少一个命令输出为命令日志;以及模式寄存器组,所述模式寄存器组被配置为响应于发送到所述命令译码器的模式寄存器组命令来生成所述寄存器使能信号或所述命令日志读取信号。
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公开(公告)号:CN115483938A
公开(公告)日:2022-12-16
申请号:CN202210555931.2
申请日:2022-05-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04B1/16
Abstract: 一种信号接收装置包括:采样装置,所述采样装置被配置为对输入信号进行采样以输出多个采样值;以及输出电路,所述输出电路被配置为基于所述采样值输出数据。所述输出电路响应于第一控制信号通过基于所述采样值中的第一采样值至第三采样值执行多数表决来输出所述数据,并且响应于第二控制信号基于所述采样值中的所述第一采样值及第四采样值和第五采样值输出所述数据及第一错误计数信号和第二错误计数信号。所述第一错误计数信号是通过将在参考条件下采样的所述第一采样值与在第一偏移条件下采样的所述第四采样值进行比较来生成的,并且所述第二错误计数信号是通过将所述第一采样值与在第二偏移条件下采样的所述第五采样值进行比较来生成的。
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