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公开(公告)号：CN1530844A
公开(公告)日：2004-09-22
申请号：CN200410007713.7
申请日：2004-01-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F13/28
CPC classification number: G06F13/28
Abstract: 本发明涉及一种用于将存储在一个存储器中的数据传送到另一个存储器的装置和方法，以及一种在传送数据时将数据移动指定的位数，并且将移位后的数据传送到另一存储器中的方法和装置。当读取来自第一存储器的数据时，传统的直接存储器访问(DMA)装置顺序存储来自存储器地址的第一存储区域的数据并将已读取的数据存储在第二存储器中。在DMA控制寄存器中设置值，以便在传送数据时将数据移动指定的位数并且根据所述方法传送移位后的数据。根据在控制寄存器设置的预定值而将数据移位指定的位数并且将移位后的数据传送到另一存储器。
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公开(公告)号：CN111199766A
公开(公告)日：2020-05-26
申请号：CN201911069558.4
申请日：2019-11-05
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了一种存储器设备，包括存储器单元阵列和存储器控制器，所述存储器单元阵列包括多个存储器单元，并且所述存储器控制器用于控制所述多个存储器单元。存储器单元阵列具有第一熔丝区域和第二熔丝区域，第一熔丝区域包括具有与所述多个存储器单元的结构相同的结构的多个第一熔丝单元，第二熔丝区域包括具有与所述多个存储器单元的结构不同的结构的多个第二熔丝单元。存储器控制器具有选择第一熔丝区域和第二熔丝区域之一的熔丝选择电路。
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公开(公告)号：CN113223579A
公开(公告)日：2021-08-06
申请号：CN202011274803.8
申请日：2020-11-13
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 郑文基
IPC: G11C13/00
Abstract: 公开了一种对电阻存储器器件进行编程的方法，以及一种对应的电阻存储器器件。该方法包括：响应于写入命令，将写入脉冲施加到布置在选定字线与选定位线相交的区域中的选定存储器单元；以及在施加写入脉冲之后，将伪脉冲施加到至少一个未选存储器单元。至少一个未选存储器单元连接到以下中的至少一项：选定字线、选定位线、与选定字线相邻的第一字线和与选定位线相邻的第一位线。
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