公开(公告)号：CN110197816B

公开(公告)日：2024-02-13

申请号：CN201811415390.3

申请日：2018-11-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵银贞 ,  金汉 ,  徐允锡

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/498 ,  H01L23/48 ,  H01L23/528 ,  H01L25/07

Abstract: 本公开提供了一种扇出型半导体封装件。扇出型半导体封装件包括：第一芯构件，包括第一通孔；第一半导体芯片，设置在第一芯构件的第一通孔中；第一包封剂，被构造为包封第一半导体芯片的至少一部分；第一连接构件，设置在第一半导体芯片上，并包括第一重新分布层；第二芯构件，粘合到第一连接构件的下表面并包括第二通孔；第二半导体芯片，设置在第二芯构件的第二通孔中；第二包封剂，被构造为包封第二半导体芯片、第二芯构件和第一连接构件；第二连接构件，设置在第二半导体芯片上，并包括第二重新分布层；以及连接过孔，穿过第二芯构件并被构造为使第一重新分布层和第二重新分布层电连接。

公开(公告)号：CN110197816A

公开(公告)日：2019-09-03

申请号：CN201811415390.3

申请日：2018-11-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵银贞 ,  金汉 ,  徐允锡

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/498 ,  H01L23/48 ,  H01L23/528 ,  H01L25/07

Abstract: 本公开提供了一种扇出型半导体封装件。扇出型半导体封装件包括：第一芯构件，包括第一通孔；第一半导体芯片，设置在第一芯构件的第一通孔中；第一包封剂，被构造为包封第一半导体芯片的至少一部分；第一连接构件，设置在第一半导体芯片上，并包括第一重新分布层；第二芯构件，粘合到第一连接构件的下表面并包括第二通孔；第二半导体芯片，设置在第二芯构件的第二通孔中；第二包封剂，被构造为包封第二半导体芯片、第二芯构件和第一连接构件；第二连接构件，设置在第二半导体芯片上，并包括第二重新分布层；以及连接过孔，穿过第二芯构件并被构造为使第一重新分布层和第二重新分布层电连接。