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公开(公告)号：CN116230627A
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202211501687.8
申请日：2022-11-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/768
Abstract: 可以提供一种半导体装置，所述半导体装置包括绝缘结构和在绝缘结构中的导电结构。导电结构包括阻挡层、在阻挡层上的抗迁移层、在抗迁移层上的衬垫、在衬垫上的导电层以及覆盖阻挡层的顶表面和抗迁移层的顶表面的盖层。盖层和衬垫包括Co。抗迁移层包括Mn。
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