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发明公开
半导体器件审中-公开

公开(公告)号：CN120035214A

公开(公告)日：2025-05-23

申请号：CN202411088047.8

申请日：2024-08-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 黄圭晚 , 裵珍镐 , 郑在原 , 朴星一

IPC: H10D84/85 , H10D84/83 , H10D84/03 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00

Abstract: 一种半导体器件包括下晶体管和位于比下晶体管高的垂直水平处的上晶体管。下晶体管包括下源极/漏极区以及与下源极/漏极区的侧表面接触的下栅极结构和下隔离绝缘层。上晶体管包括上源极/漏极区以及与上源极/漏极区的侧表面接触的上栅极结构和上隔离绝缘层。下隔离绝缘层的底表面位于与下栅极结构的底表面相同的垂直水平处。

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