公开(公告)号：CN119505884A

公开(公告)日：2025-02-25

申请号：CN202411084238.7

申请日：2024-08-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 杨承林 ,  金旻淏 ,  文得圭 ,  元那渊 ,  蔡洙仁 ,  金泰坤 ,  李准浩

IPC: C09K11/62 ,  G09F9/00 ,  H10H20/851 ,  H10K59/38 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  B82Y20/00 ,  C09K11/02

Abstract: 涉及一种制造半导体纳米颗粒的方法、由其制造的半导体纳米颗粒以及包括该半导体纳米颗粒的电子装置。制造半导体纳米颗粒的方法包括：将包含银、13族元素和硫属元素的第一半导体纳米晶体与镓前驱体、硫前驱体和银化合物在包含有机溶剂的介质中组合；以及将介质加热至反应温度以获得包含半导体纳米颗粒的粗品溶液。半导体纳米颗粒包括银、铟、镓和硫，并且半导体纳米颗粒的尺寸大于或等于约2nm且小于或等于约50nm。