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发明公开
湿蚀刻方法及使用其制造半导体装置的方法审中-实审

公开(公告)号：CN116453970A

公开(公告)日：2023-07-18

申请号：CN202310024420.2

申请日：2023-01-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金台宪 , 金坰显 , 文彰燮 , 梁准烈 , 丁相勳 , 丁镛植 , 蔡昇澈

IPC: H01L21/67 , H10B12/00

Abstract: 提供了一种湿蚀刻方法和制造半导体装置的方法。所述湿蚀刻方法包括：将包括蚀刻目标膜的结构提供到容纳具有第一磷酸浓度的第一蚀刻溶液的处理浴槽中；在处理浴槽中用第一蚀刻溶液执行用于对蚀刻目标膜进行蚀刻的第一蚀刻工艺；通过改变第一蚀刻溶液中的磷酸浓度来提供具有与第一磷酸浓度不同的第二磷酸浓度的第二蚀刻溶液；在处理浴槽中用第二蚀刻溶液执行用于对蚀刻目标膜进行蚀刻的第二蚀刻工艺；通过改变第二蚀刻溶液中的磷酸浓度来提供具有与第一磷酸浓度和第二磷酸浓度不同的第三磷酸浓度的第三蚀刻溶液；以及在处理浴槽中用第三蚀刻溶液执行用于对蚀刻目标膜进行蚀刻的第三蚀刻工艺。

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