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发明公开
设计半导体器件的布局的方法和制造半导体器件的方法审中-实审

公开(公告)号：CN116738922A

公开(公告)日：2023-09-12

申请号：CN202310209990.9

申请日：2023-03-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 罗如珍 , 朴柱玧 , 金钟斗

IPC: G06F30/392 , G06F30/394 , G06F30/398 , G06F115/02 , G06F115/12 , G06F115/08 , G06F115/06

Abstract: 一种设计半导体器件的布局的方法包括：通过分析第一布局并且校正多个填充单元中的至少一部分填充单元来形成第二布局，其中，形成所述第二布局包括：在所述第一布局中通过分别将第一有源线的第一宽度和第二有源线的第二宽度与虚设有源线的宽度进行比较来检测由于宽度差异引起的过渡区域；以及通过分析检测到的所述过渡区域来校正所述第一填充单元的所述虚设有源线，其中，在校正所述第一填充单元的所述虚设有源线时，所述虚设有源线被校正为与所述第一有源线和所述第二有源线当中的具有较窄宽度的有源线具有相同宽度的校正虚设有源线。

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