公开(公告)号：CN105389274B

公开(公告)日：2020-09-11

申请号：CN201510536967.6

申请日：2015-08-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 禹敦志 ,  金宽浩 ,  金美卿 ,  李范宇

IPC: G06F13/28

Abstract: 公开了一种半导体装置、半导体系统和片上系统。至少一个示例性实施例公开了一种半导体装置，包括：直接存储器存取(DMA)系统，被构造为直接访问存储器以将第一数据写入到存储器的地址，其中，DMA系统包括：初始化器，被构造为在处理器将第二数据从高速缓冲存储器冲洗到所述地址的冲洗时间段期间设置用于将第一数据写入到存储器的数据传输参数；创建器，被构造为基于设置的数据传输参数来创建第一数据；传输器，被构造为基于数据传输参数在冲洗时间段之后将第一数据写入到存储器的所述地址。

公开(公告)号：CN105389274A

公开(公告)日：2016-03-09

申请号：CN201510536967.6

申请日：2015-08-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 禹敦志 ,  金宽浩 ,  金美卿 ,  李范宇

IPC: G06F13/28

CPC classification number: G06F12/0893 ,  G06F12/0891 ,  G06F13/28

Abstract: 公开了一种半导体装置、半导体系统和片上系统。至少一个示例性实施例公开了一种半导体装置，包括：直接存储器存取(DMA)系统，被构造为直接访问存储器以将第一数据写入到存储器的地址，其中，DMA系统包括：初始化器，被构造为在处理器将第二数据从高速缓冲存储器冲洗到所述地址的冲洗时间段期间设置用于将第一数据写入到存储器的数据传输参数；创建器，被构造为基于设置的数据传输参数来创建第一数据；传输器，被构造为基于数据传输参数在冲洗时间段之后将第一数据写入到存储器的所述地址。