公开(公告)号：CN115715089A

公开(公告)日：2023-02-24

申请号：CN202211000316.1

申请日：2022-08-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 禹成妍 ,  金旻帝 ,  李雄燮 ,  俞东濬 ,  林珍洙

IPC: H10B43/10 ,  H10B43/35 ,  H10B43/40 ,  H10B43/50 ,  H10B43/20

Abstract: 提供了半导体装置和数据存储系统。半导体装置包括：包括第一堆叠区域和第二堆叠区域的堆叠结构；穿透堆叠结构的第一分隔结构和第二分隔结构；以及穿透堆叠结构的竖直结构，其包括与第一分隔结构间隔不同长度的第一竖直存储器结构和第二竖直存储器结构。第一竖直存储器结构和第二竖直存储器结构各自包括穿透第一堆叠区域的下部分和穿透第二堆叠区域的上部分。第一竖直存储器结构的上部分的上部区域的中心和第二竖直存储器结构的上部分的上部区域的中心之间的第一距离不同于第一竖直存储器结构的下部分的上部区域的中心和第二竖直存储器结构的下部分的上部区域的中心之间的第二距离。

公开(公告)号：CN112992914A

公开(公告)日：2021-06-18

申请号：CN202011221770.0

申请日：2020-11-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 禹成妍 ,  洪祥准 ,  朴珍洙 ,  千志成

IPC: H01L27/11582 ,  H01L27/11548

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件，该半导体器件包括：第一栅极堆叠，包括多个第一栅电极；第二栅极堆叠，布置在第一栅极堆叠上并包括多个第二栅电极；以及多个沟道结构，布置在穿透第一栅极堆叠和第二栅极堆叠的多个沟道孔中。每个沟道孔包括穿透第一栅极堆叠的第一沟道孔部分和穿透第二栅极堆叠的第二沟道孔部分，第一沟道孔部分的上端在第二方向上的第二宽度与其在第一方向上的第一宽度的比率小于第二沟道孔部分的上端在第二方向上的第四宽度与其在第一方向上的第三宽度的比率。