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发明公开
具有BS-PDN结构的集成电路芯片审中-实审

公开(公告)号：CN114446922A

公开(公告)日：2022-05-06

申请号：CN202110757834.7

申请日：2021-07-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宋垠锡 , 白洪周 , 吴琼硕 , 李满浩 , 李赫宰

IPC: H01L23/498 , H01L27/092

Abstract: 一种集成电路芯片包括：衬底，具有有源表面和与有源表面相反的背表面；前道工艺(FEOL)结构，设置在衬底的有源表面上；第一后道工艺(BEOL)结构，设置在FEOL结构上；中间连接层，设置在衬底的背表面下方，所述中间连接层包括电荷存储器和围绕电荷存储器设置的金属柱；以及再分布结构层，设置在中间连接层下方。

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