公开(公告)号：CN108074616B

公开(公告)日：2021-05-04

申请号：CN201710479198.X

申请日：2017-06-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宋仲镐 ,  白洗献 ,  曹溶成

IPC: G11C16/24 ,  G11C11/56

Abstract: 提供一种非易失性存储器装置，所述非易失性存储器装置可以包括：存储器单元阵列，包括多个平面；页缓冲器，连接到存储器单元阵列，并与多个平面中的每个平面对应；去耦电路。页缓冲器被配置为经由第一节点接收位线电压控制信号(BLSHF)。去耦电路连接到第一节点。去耦电路包括被配置为经由第一节点执行电荷共享的至少一个去耦电容器。

公开(公告)号：CN111009267A

公开(公告)日：2020-04-14

申请号：CN201910822645.6

申请日：2019-09-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 白洗献 ,  边大锡 ,  张基昌 ,  闵泳善

IPC: G11C5/14 ,  H02M3/07

Abstract: 存储器装置包括：存储器单元阵列，其包括多个存储器单元；以及电压发生器，其被配置为将电压供应到存储器单元阵列。电压发生器包括电荷泵电路、开关电路和级控制器。电荷泵电路包括多个泵单元，并且被配置为根据多个泵单元中的已经接收到输入电压的泵单元的数量来输出泵电压和泵电流。开关电路被配置为输出泵电压。级控制器被配置为接收与泵电流相对应的输入信号，并执行产生用于控制将要被驱动的泵单元的数量的级控制信号的级控制操作。

公开(公告)号：CN111292777B

公开(公告)日：2025-01-14

申请号：CN201911242838.0

申请日：2019-12-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 白洗献 ,  张基昌 ,  边大锡

IPC: G11C5/14

Abstract: 提供了一种电压发生器及操作其的方法。该方法包括：提供参考电压，感测用于基于参考电压增加多个字线的电压的充电电流的大小，确定感测的充电电流的大小是否大于峰值电流值，当感测的充电电流的大小小于或等于峰值电流值时，根据第一斜率增加参考电压，以及当感测的充电电流的大小大于峰值电流值时，根据小于第一斜率的第二斜率增加参考电压。

公开(公告)号：CN111292777A

公开(公告)日：2020-06-16

申请号：CN201911242838.0

申请日：2019-12-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 白洗献 ,  张基昌 ,  边大锡

IPC: G11C5/14

Abstract: 提供了一种电压发生器及操作其的方法。该方法包括：提供参考电压，感测用于基于参考电压增加多个字线的电压的充电电流的大小，确定感测的充电电流的大小是否大于峰值电流值，当感测的充电电流的大小小于或等于峰值电流值时，根据第一斜率增加参考电压，以及当感测的充电电流的大小大于峰值电流值时，根据小于第一斜率的第二斜率增加参考电压。

公开(公告)号：CN108074616A

公开(公告)日：2018-05-25

申请号：CN201710479198.X

申请日：2017-06-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宋仲镐 ,  白洗献 ,  曹溶成

IPC: G11C16/24 ,  G11C11/56

CPC classification number: G11C16/24 ,  G11C16/0483 ,  G11C16/12 ,  G11C16/26 ,  G11C16/30

Abstract: 提供一种非易失性存储器装置，所述非易失性存储器装置可以包括：存储器单元阵列，包括多个平面；页缓冲器，连接到存储器单元阵列，并与多个平面中的每个平面对应；去耦电路。页缓冲器被配置为经由第一节点接收位线电压控制信号(BLSHF)。去耦电路连接到第一节点。去耦电路包括被配置为经由第一节点执行电荷共享的至少一个去耦电容器。