公开(公告)号：CN1747067A

公开(公告)日：2006-03-15

申请号：CN200510083345.9

申请日：2005-07-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 千基喆 ,  申昌昊

IPC: G11C11/4094 ,  G11C7/12

Abstract: 提供一种用于增强预充电方案和读出放大方案的集成电路存储器的位线驱动电路和位线驱动方法。在位线驱动电路中，使用利用辅助电路将位线预充电至大于或小于电压VCCA/2的电压的新方案来提高包含在每个读出放大电路中的晶体管的栅极－源极电压。此外，当单元数据为1和0时，伪单元可以保持在电荷共享后产生的位线BL和BLB之间的电压差。此外，由偏移控制电路控制的读出放大电路可以消除包含在每个读出放大电路中的晶体管之间的阈电压偏移。此时，辅助电路用于稳定电压差。

公开(公告)号：CN110890119A

公开(公告)日：2020-03-17

申请号：CN201910813280.0

申请日：2019-08-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 徐宁焄 ,  赵胜晛 ,  申昌昊 ,  李龙宰

IPC: G11C11/4094 ,  G11C7/12

Abstract: 公开电压产生电路、存储器装置和产生位线预充电电压的方法。一种存储器装置包括电压产生电路，电压产生电路包括偏移补偿器，偏移补偿器被配置为：接收参考电压和偏移代码，并将偏移代码链接到参考电压。电压产生电路包括比较器，比较器被配置为：将链接到偏移代码的参考电压与位线预充电电压进行比较并输出驱动控制信号。电压产生电路包括驱动器，驱动器被配置为：响应于驱动控制信号输出处于参考电压的目标电平的位线预充电电压。电压产生电路包括背景校准电路，背景校准电路被配置为：产生用于执行控制的偏移代码，使得目标短路电流流过输出位线预充电电压的驱动器的输出节点。

公开(公告)号：CN110890119B

公开(公告)日：2023-09-19

申请号：CN201910813280.0

申请日：2019-08-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 徐宁焄 ,  赵胜晛 ,  申昌昊 ,  李龙宰

IPC: G11C11/4094 ,  G11C7/12

Abstract: 公开电压产生电路、存储器装置和产生位线预充电电压的方法。一种存储器装置包括电压产生电路，电压产生电路包括偏移补偿器，偏移补偿器被配置为：接收参考电压和偏移代码，并将偏移代码链接到参考电压。电压产生电路包括比较器，比较器被配置为：将链接到偏移代码的参考电压与位线预充电电压进行比较并输出驱动控制信号。电压产生电路包括驱动器，驱动器被配置为：响应于驱动控制信号输出处于参考电压的目标电平的位线预充电电压。电压产生电路包括背景校准电路，背景校准电路被配置为：产生用于执行控制的偏移代码，使得目标短路电流流过输出位线预充电电压的驱动器的输出节点。