公开(公告)号：CN114725115A

公开(公告)日：2022-07-08

申请号：CN202111638773.9

申请日：2021-12-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 罗相虎 ,  金益秀 ,  任智芸 ,  朴柄善 ,  申善圭

IPC: H01L27/11521 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/11568 ,  H01L27/11582 ,  G11C7/18 ,  G11C16/04

Abstract: 公开了一种半导体器件和一种数据存储系统。所述半导体器件包括：存储单元结构，位于衬底上；以及虚设单元，位于所述存储单元结构的一侧。所述存储单元结构包括：存储堆叠结构，包括交替堆叠在所述衬底上的层间绝缘层和栅电极；沟道结构，穿透所述存储堆叠结构并接触所述衬底；以及第一分隔结构，穿透所述存储堆叠结构并在第一方向上延伸，以在第二方向上将所述栅电极彼此分隔开。所述虚设结构包括：虚设堆叠结构，与所述存储堆叠结构间隔开并且包括交替堆叠的第一绝缘层和虚设栅电极；虚设沟道结构，穿透所述虚设堆叠结构；和第二分隔结构，穿透所述虚设堆叠结构，并且在所述第二方向上延伸以在所述第一方向上将所述虚设栅电极彼此分隔开。