-
公开(公告)号：CN112349729A
公开(公告)日：2021-02-09
申请号：CN202010776340.9
申请日：2020-08-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11578 , H01L27/11563 , H01L27/11573
Abstract: 一种垂直半导体器件可以包括衬底、堆叠结构、绝缘中间层、缓冲图案和第一接触插塞。堆叠结构可以包括在衬底上一个堆叠在另一个上的绝缘图案和导电图案。导电图案可以在平行于衬底的上表面的第一方向上延伸，并且导电图案的边缘可以具有阶梯形状。导电图案可以包括由导电图案的暴露的上表面限定的焊盘图案。绝缘中间层可以覆盖堆叠结构。缓冲图案可以在绝缘中间层上。第一接触插塞可以穿过缓冲图案和绝缘中间层。第一接触插塞可以接触焊盘图案中的一个。缓冲图案可以减少由形成第一接触插塞引起的缺陷。
Search Results
1
records
(took 0.023 seconds)
筛选
AND
AND
过滤
NOT
NOT
Scan to Join
