公开(公告)号：CN101026288A

公开(公告)日：2007-08-29

申请号：CN200610163781.1

申请日：2006-12-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 蔡程惠 ,  沈钟寅 ,  河镜虎 ,  金奎相 ,  柳汉烈

IPC: H01S5/22

CPC classification number: H01S5/22 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/34333

Abstract: 提供一种半导体激光二极管，其包括衬底和依次形成于衬底上的第一半导体层、有源层、第二半导体层和电极。在半导体激光二极管中，第二半导体层具有脊，以及电极形成于第二半导体层的脊上，电极的宽度小于脊的宽度。

公开(公告)号：CN1130595C

公开(公告)日：2003-12-10

申请号：CN01111657.9

申请日：2001-03-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金钟烈 ,  沈钟寅

IPC: G02F1/39 ,  H01S5/30

CPC classification number: H01S5/5018 ,  H01S5/06236 ,  H01S5/0625

Abstract: 公开一种光放大部件中的不受偏振影响的半导体光放大器，其具有衬底和包括形成于衬底上的有源层的多层结构的晶体生长层。在该光放大器中，有源层被分成具有不同偏振模的第一区和第二区。各电极装置独立地将电流加至第一区和第二区。因此，不受偏振影响的半导体光放大器能够分开控制TE和TM偏振增益以便基本平衡TE偏振增益与TM偏振增益。

公开(公告)号：CN1313523A

公开(公告)日：2001-09-19

申请号：CN01111657.9

申请日：2001-03-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金钟烈 ,  沈钟寅

IPC: G02F1/39

CPC classification number: H01S5/5018 ,  H01S5/06236 ,  H01S5/0625

Abstract: 公开一种光放大部件中的不受偏振影响的半导体光放大器,其具有衬底和包括形成于衬底上的有源层的多层结构的晶体生长层。在该光放大器中,有源层被分成具有不同偏振模的第一区和第二区。各电极装置独立地将电流加至第一区和第二区。因此,不受偏振影响的半导体光放大器能够分开控制TE和TM偏振增益以便基本平衡TE偏振增益与TM偏振增益。