公开(公告)号：CN1725471A

公开(公告)日：2006-01-25

申请号：CN200510082046.3

申请日：2005-07-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴元虎 ,  柳泰光 ,  金炅焕 ,  金洸兑

IPC: H01L21/8247 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L21/28273 ,  G11C16/0433 ,  H01L27/11524

Abstract: 提供了一种形成隧穿绝缘层的方法，由所述方法形成的隧穿绝缘层的尺寸小于通过光刻工艺的分辨率得到的尺寸。所述方法包括的步骤有：在衬底上形成第一绝缘层和第二绝缘层；形成可再次流动的材料层图案，并使之再次流动；去除第二绝缘层和第一绝缘层，以暴露所述衬底；以及形成隧穿绝缘层。

公开(公告)号：CN104051348B

公开(公告)日：2018-12-11

申请号：CN201410082905.8

申请日：2014-03-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 柳泰光 ,  权倍成 ,  金龙泰 ,  郑喆浩 ,  崔容硕

IPC: H01L21/8234 ,  H01L21/336 ,  H01L27/11546 ,  H01L29/423 ,  H01L29/788

CPC classification number: H01L21/823462 ,  H01L21/823456 ,  H01L27/11546 ,  H01L29/42324 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/7881

Abstract: 本发明提供了半导体器件及其制造方法。在制造半导体器件的方法中，分离栅结构形成在衬底的单元区上，衬底包括单元区和逻辑区。逻辑区具有高压区域、超高压区域和低压区域，分离栅结构包括第一栅极绝缘层图案、浮置栅极、隧道绝缘层图案和控制栅极。间隔物层形成在分离栅结构和衬底上。间隔物层被蚀刻以在分离栅结构的侧壁上形成间隔物以及在衬底的超高压区域上形成第二栅极绝缘层图案。栅电极形成在衬底的高压区域、第二栅极绝缘层图案和衬底的低压区域的每个上。

公开(公告)号：CN104051348A

公开(公告)日：2014-09-17

申请号：CN201410082905.8

申请日：2014-03-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 柳泰光 ,  权倍成 ,  金龙泰 ,  郑喆浩 ,  崔容硕

IPC: H01L21/8247 ,  H01L21/28 ,  H01L27/115 ,  H01L29/423

CPC classification number: H01L21/823462 ,  H01L21/823456 ,  H01L27/11546 ,  H01L29/42324 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/7881

Abstract: 本发明提供了半导体器件及其制造方法。在制造半导体器件的方法中，分离栅结构形成在衬底的单元区上，衬底包括单元区和逻辑区。逻辑区具有高压区域、超高压区域和低压区域，分离栅结构包括第一栅极绝缘层图案、浮置栅极、隧道绝缘层图案和控制栅极。间隔物层形成在分离栅结构和衬底上。间隔物层被蚀刻以在分离栅结构的侧壁上形成间隔物以及在衬底的超高压区域上形成第二栅极绝缘层图案。栅电极形成在衬底的高压区域、第二栅极绝缘层图案和衬底的低压区域的每个上。

公开(公告)号：CN104051001B

公开(公告)日：2018-06-22

申请号：CN201410092954.X

申请日：2014-03-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 全昌愍 ,  徐辅永 ,  柳泰光

IPC: G11C8/10 ,  G11C7/12 ,  G11C8/08

CPC classification number: G11C16/24 ,  G11C11/16 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1673 ,  G11C11/1675 ,  G11C13/0002 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/004 ,  G11C16/08 ,  G11C16/26 ,  G11C2213/79 ,  G11C2213/82

Abstract: 源极线浮置电路包括多个浮置单元。所述浮置单元分别直接接收经解码的行地址信号或所述字线的电压作为浮置控制信号。响应于行地址信号选择性地激活经解码的行地址信号。所述浮置单元在读操作中响应于所述浮置控制信号控制源极线与源电压之间的电连接。还描述了相关的器件和方法。

公开(公告)号：CN104051001A

公开(公告)日：2014-09-17

申请号：CN201410092954.X

申请日：2014-03-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 全昌愍 ,  徐辅永 ,  柳泰光

IPC: G11C8/10 ,  G11C7/12 ,  G11C8/08

CPC classification number: G11C16/24 ,  G11C11/16 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1673 ,  G11C11/1675 ,  G11C13/0002 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/004 ,  G11C16/08 ,  G11C16/26 ,  G11C2213/79 ,  G11C2213/82

Abstract: 源极线浮置电路包括多个浮置单元。所述浮置单元分别直接接收经解码的行地址信号或所述字线的电压作为浮置控制信号。响应于行地址信号选择性地激活经解码的行地址信号。所述浮置单元在读操作中响应于所述浮置控制信号控制源极线与源电压之间的电连接。还描述了相关的器件和方法。