公开(公告)号：CN109687885A

公开(公告)日：2019-04-26

申请号：CN201811188950.6

申请日：2018-10-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金荣敏 ,  李宰承 ,  林重锡 ,  张必城

IPC: H04B1/18 ,  H04B1/04 ,  H04B1/40 ,  H04B7/06 ,  H04B7/08

CPC classification number: H03F3/189 ,  H03F1/22 ,  H03F1/223 ,  H03F3/193 ,  H03F3/72 ,  H03F2200/294 ,  H03F2200/61 ,  H03F2203/7206 ,  H03H7/19 ,  H04B1/18 ,  H04B1/0458 ,  H04B1/40 ,  H04B7/0617 ,  H04B7/086 ,  H04B2001/0408

Abstract: 一种用于经由多个天线接收波束成形信号的接收器、用于支持波束成形功能的低噪声放大器以及无线通信装置。低噪声放大器可包含第一晶体管和第二晶体管以及连接到第二晶体管的栅极的可变电容电路。可变电容电路可根据波束成形信息基于施加于电路的电容控制信号选择性地改变其电容，其中改变的电容相对应地导致低噪声放大器的输出信号的相位变化。针对放大器可在发射信号路径中采用类似方案以操控发射波束。

公开(公告)号：CN109687885B

公开(公告)日：2022-01-07

申请号：CN201811188950.6

申请日：2018-10-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金荣敏 ,  李宰承 ,  林重锡 ,  张必城

IPC: H04B1/18 ,  H04B1/04 ,  H04B1/40 ,  H04B7/06 ,  H04B7/08

Abstract: 一种用于经由多个天线接收波束成形信号的接收器、用于支持波束成形功能的低噪声放大器以及无线通信装置。低噪声放大器可包含第一晶体管和第二晶体管以及连接到第二晶体管的栅极的可变电容电路。可变电容电路可根据波束成形信息基于施加于电路的电容控制信号选择性地改变其电容，其中改变的电容相对应地导致低噪声放大器的输出信号的相位变化。针对放大器可在发射信号路径中采用类似方案以操控发射波束。