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公开(公告)号：CN115775786A
公开(公告)日：2023-03-10
申请号：CN202210997684.1
申请日：2022-08-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/522
Abstract: 可提供一种去耦集成电路，包括：衬底，其包括在第一方向上延伸并且在与第一方向交叉的第二方向上彼此间隔开的第一有源区和第二有源区；第一电力轨，其被配置为接收第一电源，并且包括在第二方向上与第一有源区间隔开并且在第一方向上延伸的第一水平延伸部分和在与第二方向相反的第三方向上从第一水平延伸部分突出的第一‑1突起；第二电力轨，其被配置为接收第二电源，并且包括在第二方向上与第二有源区间隔开并且在第一方向上延伸的第二水平延伸部分和在第二方向上从第二水平延伸部分突出的第二‑1突起，第一‑1突起和第二‑1突起构成去耦电容器。
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