公开(公告)号：CN103811450A

公开(公告)日：2014-05-21

申请号：CN201310553515.X

申请日：2013-11-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 曹英珍

IPC: H01L23/488 ,  H01L23/49

CPC classification number: H01L23/522 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种具有交错的焊盘线结构的半导体器件。一种半导体器件，包括设置在基底上的第一层到第n层的多条第一金属线以及设置在第一金属线上并包括第n+1层的金属材料的多条焊盘线。焊盘线以沿第一方向交错的形状布置并具有沿第二方向纵长延伸的矩形形状。多条附加布线沿第一方向设置在附加布线区域中并包括第n+1层的金属材料。附加布线区域设置在焊盘线之间。多个焊盘可与焊盘线的上表面接触。焊盘具有矩形形状，所述矩形形状具有沿第一方向的第一宽度和沿第二方向的大于第一宽度的第一长度。

公开(公告)号：CN115775786A

公开(公告)日：2023-03-10

申请号：CN202210997684.1

申请日：2022-08-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金容范 ,  曹英珍 ,  林宪 ,  郑三溶

IPC: H01L23/522

Abstract: 可提供一种去耦集成电路，包括：衬底，其包括在第一方向上延伸并且在与第一方向交叉的第二方向上彼此间隔开的第一有源区和第二有源区；第一电力轨，其被配置为接收第一电源，并且包括在第二方向上与第一有源区间隔开并且在第一方向上延伸的第一水平延伸部分和在与第二方向相反的第三方向上从第一水平延伸部分突出的第一‑1突起；第二电力轨，其被配置为接收第二电源，并且包括在第二方向上与第二有源区间隔开并且在第一方向上延伸的第二水平延伸部分和在第二方向上从第二水平延伸部分突出的第二‑1突起，第一‑1突起和第二‑1突起构成去耦电容器。