公开(公告)号：CN115966571A

公开(公告)日：2023-04-14

申请号：CN202211235733.4

申请日：2022-10-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 廉东赫 ,  朴成华 ,  李宽钦 ,  林世灿

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238

Abstract: 一种半导体器件可以包括：衬底上的第一有源区和第二有源区；分别在第一有源区和第二有源区上的第一绝缘结构和第二绝缘结构；在第一绝缘结构和第二绝缘结构中的每一个上竖直堆叠的沟道层；第一栅结构和第二栅结构，分别与第一有源区和第二有源区相交并围绕沟道层；第一源/漏区和第二源/漏区，掺杂有不同导电类型杂质，第一源/漏区和第二源/漏区分别位于第一栅结构和第二栅结构的至少一侧并接触沟道层，并且第一绝缘结构和第二绝缘结构中的每一个的至少一部分沿着第一源/漏区和第二源/漏区中的对应源/漏区的侧表面向上延伸。

公开(公告)号：CN115621282A

公开(公告)日：2023-01-17

申请号：CN202210559399.1

申请日：2022-05-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 廉东赫 ,  李宽钦 ,  朴成华 ,  林世灿

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238

Abstract: 公开了半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括：衬底上的有源图案；器件隔离层，设置在所述衬底上以限定所述有源图案；所述有源图案上的源/漏图案对；以及所述源/漏图案对之间的沟道图案，所述沟道图案包括堆叠且彼此分隔开的半导体图案；与所述沟道图案交叉的栅电极；以及所述栅电极的侧表面上的栅间隔物。位于所述器件隔离层上的栅间隔物包括具有第一厚度的上部和具有第二厚度的下部。所述第二厚度大于所述第一厚度，并且所述栅间隔物的下部位于比所述半导体图案中最上的半导体图案低的层级。