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发明公开
半导体器件及其制造方法以及包括半导体器件的电子系统审中-实审

公开(公告)号：CN114446979A

公开(公告)日：2022-05-06

申请号：CN202110940284.2

申请日：2021-08-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金江旻 , 朴庆晋 , 李璱智 , 李惠珍

IPC: H01L27/11548 , H01L27/11556 , H01L27/11575 , H01L27/11582

Abstract: 公开了一种半导体器件及其制造方法以及包括半导体器件的电子系统。该半导体器件可以包括：栅极堆叠，所述栅极堆叠在衬底上，在第一方向上彼此间隔开，并且包括交替地堆叠的电极和单元绝缘层；分离结构，在栅极堆叠之间并且在与第一方向交叉的第二方向上延伸；竖直结构，穿透栅极堆叠并且在竖直结构的上部上具有导电焊盘；支撑结构，在栅极堆叠上；位线，在支撑结构上；以及接触插塞，穿透支撑结构并且将位线电连接到竖直结构。支撑结构在分离结构上的部分的底表面可以低于导电焊盘的顶表面。

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