公开(公告)号：CN102064194A

公开(公告)日：2011-05-18

申请号：CN201010515597.5

申请日：2010-10-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金荣睦 ,  郑用相 ,  李泰喆

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/1037 ,  H01L21/28114 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/66621 ,  H01L29/7834

Abstract: 本发明提供了凹陷沟道晶体管装置、包括其的显示设备及其制造方法，即凹陷沟道晶体管(RCT)装置、制造该RCT装置的方法以及包括该RCT装置的显示设备。RCT装置包括：基底，第一沟槽在第一基底中且具有第一宽度；第一栅极绝缘层，在第一沟槽的内壁上；第一凹陷栅极，在第一栅极绝缘层上，且在第一凹陷栅极的上表面的中心部分中具有凹槽；源极和漏极，在基底中并在第一凹陷栅极的两侧上。