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发明公开
半导体装置审中-公开

公开(公告)号：CN118801872A

公开(公告)日：2024-10-18

申请号：CN202410428901.4

申请日：2024-04-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜玄锡 , 李政秀 , 安恩志 , 朴廷埈 , 尹治元

IPC: H03K19/0175

Abstract: 一种半导体装置包括：第一上拉电路，其连接在供应第一电源电压的第一电源节点和信号通过其被输出的输出节点之间，并包括多个NMOS晶体管；第二上拉电路，其在第一电源节点与输出节点之间并联连接到第一上拉电路，并且包括多个PMOS晶体管；以及控制电路，其将第一上拉代码输出到第一上拉电路，并将第二上拉代码输出到第二上拉电路。在第一操作模式中，信号在低于第一电源电压的第一低电平与低于第一电源电压的1/2倍的第一高电平之间摆动，基于第一上拉代码确定第一上拉电路的电阻，并且基于第二上拉代码确定第二上拉电路的电阻。

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