薄膜晶体管阵列面板及其制造方法

    公开(公告)号:CN1270388C

    公开(公告)日:2006-08-16

    申请号:CN02812362.X

    申请日:2002-06-20

    Abstract: 本发明涉及一种TFT阵列面板及其制造方法。为简化其制造过程,通过印刷有机绝缘材料形成栅极绝缘层及钝化层。本发明的TFT面板包括绝缘基板、和形成于该绝缘基板上的栅极布线。该栅极布线包括以第一方向延伸的栅极线及与该栅极线一端连接的栅极衬垫。在绝缘基板上形成栅极绝缘层,同时露出栅极衬垫及邻接该栅极衬垫的部分栅极线。在栅极绝缘层上形成半导体图案。在栅极绝缘层上形成数据布线。该数据布线包括以第二方向延伸并与栅极线交叉的数据线、连接数据线并与半导体图案接触的源极、面对源极并与半导体图案接触的漏极、以及连接数据线一端的数据衬垫。在栅极绝缘层上形成钝化层并露出数据衬垫及邻接该数据衬垫的部分数据线。

    薄膜晶体管阵列面板及其制造方法

    公开(公告)号:CN1518774A

    公开(公告)日:2004-08-04

    申请号:CN02812362.X

    申请日:2002-06-20

    Abstract: 本发明涉及一种TFT阵列面板及其制造方法。为简化其制造过程,通过印刷有机绝缘材料形成栅极绝缘层及钝化层。本发明的TFT面板包括绝缘基板、和形成于该绝缘基板上的栅极布线。该栅极布线包括以第一方向延伸的栅极线及与该栅极线一端连接的栅极衬垫。在绝缘基板上形成栅极绝缘层,同时露出栅极衬垫及邻接该栅极衬垫的部分栅极线。在栅极绝缘层上形成半导体图案。在栅极绝缘层上形成数据布线。该数据布线包括以第二方向延伸并与栅极线交叉的数据线、连接数据线并与半导体图案接触的源极、面对源极并与半导体图案接触的漏极、以及连接数据线一端的数据衬垫。在栅极绝缘层上形成钝化层并露出数据衬垫及邻接该数据衬垫的部分数据线。

    显示基片及其制造方法

    公开(公告)号:CN100492104C

    公开(公告)日:2009-05-27

    申请号:CN200510098768.8

    申请日:2005-09-07

    Abstract: 一种包括提高像素测试特性的测试线的显示基片及其制造方法,其中,显示基片包括基片、信号线、测试线,基片又包括布置像素的像素区域、置于围绕像素区域周边的缓冲器区域、及形成于缓冲器周围的磨光区域。信号线从磨光区域经过缓冲器区域向像素提供驱动信号。测试线与信号线晶格状交叉并分别置于磨光区域及缓冲器区域,各测试线与由测试线个数除信号线个数所得个数的信号线连接。从而,能够较精密地测试显示图像的像素特性。

    显示基片及其制造方法

    公开(公告)号:CN1746729A

    公开(公告)日:2006-03-15

    申请号:CN200510098768.8

    申请日:2005-09-07

    Abstract: 一种包括提高像素测试特性的测试线的显示基片及其制造方法,其中,显示基片包括基片、信号线、测试线,基片又包括布置像素的像素区域、置于围绕像素区域周边的缓冲器区域、及形成于缓冲器周围的磨光区域。信号线从磨光区域经过缓冲器区域向像素提供驱动信号。测试线与信号线晶格状交叉并分别置于磨光区域及缓冲器区域,各测试线与由测试线个数除信号线个数所得个数的信号线连接。从而,能够较精密地测试显示图像的像素特性。

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