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发明公开
图像传感器审中-实审

公开(公告)号：CN116936588A

公开(公告)日：2023-10-24

申请号：CN202310380792.9

申请日：2023-04-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李周熹 , 任东模 , 梁至希 , 李泰宪 , 林智焄

IPC: H01L27/146

Abstract: 一种图像传感器包括：衬底；光电转换区域，所述光电转换区域位于所述衬底中，所述衬底在所述光电转换区域上限定衬底沟槽；浮置扩散区域，所述浮置扩散区域在所述衬底中与所述衬底沟槽的侧表面相邻；栅极电介质膜，所述栅极电介质膜沿着所述衬底沟槽的所述侧表面和下表面延伸；以及转移栅电极，所述转移栅电极包括在所述栅极电介质膜上填充所述衬底沟槽的一部分并且具有第一宽度的下栅极和位于所述下栅极上并且具有小于所述第一宽度的第二宽度的上栅极。所述栅极电介质膜包括下电介质膜和上电介质膜，所述下电介质膜介于所述衬底和所述下栅极之间并且具有第一厚度，所述上电介质膜与所述浮置扩散区域相邻并且具有大于所述第一厚度的第二厚度。

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