公开(公告)号：CN101202116B

公开(公告)日：2013-06-05

申请号：CN200710198999.5

申请日：2007-12-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李奉镕 ,  李宪奎 ,  金光洙 ,  权相烈

IPC: G11C29/44

CPC classification number: G11C29/808 ,  G11C29/846

Abstract: 一种半导体存储器件，包括主单元阵列区，在主单元阵列区的一侧形成的第一冗余单元阵列区和第一虚拟单元阵列区，以及在主单元阵列区的另一侧形成的第二冗余单元阵列区和第二虚拟单元阵列区。该第一冗余单元阵列区包括第一冗余位线，以及该第一虚拟单元阵列区包括第一虚拟位线。该第二冗余单元阵列区包括第二冗余位线，以及该第二虚拟单元阵列区包括第二虚拟位线。第一和第二冗余单元阵列区被布置为比第一和第二虚拟单元阵列区更靠近主单元阵列区。

公开(公告)号：CN101202116A

公开(公告)日：2008-06-18

申请号：CN200710198999.5

申请日：2007-12-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李奉镕 ,  李宪奎 ,  金光洙 ,  权相烈

IPC: G11C29/44

CPC classification number: G11C29/808 ,  G11C29/846

Abstract: 一种半导体存储器件，包括主单元阵列区，在主单元阵列区的一侧形成的第一冗余单元阵列区和第一虚拟单元阵列区，以及在主单元阵列区的另一侧形成的第二冗余单元阵列区和第二虚拟单元阵列区。该第一冗余单元阵列区包括第一冗余位线，以及该第一虚拟单元阵列区包括第一虚拟位线。该第二冗余单元阵列区包括第二冗余位线，以及该第二虚拟单元阵列区包括第二虚拟位线。第一和第二冗余单元阵列区被布置为比第一和第二虚拟单元阵列区更靠近主单元阵列区。