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公开(公告)号：CN116247024A
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN202210889870.3
申请日：2022-07-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/498 , H01L23/522 , H01L23/528 , H01L23/48
Abstract: 提供了一种半导体装置和半导体封装件。所述半导体装置包括：半导体基底；层间绝缘层，位于半导体基底上；第一过孔结构，穿过半导体基底和层间绝缘层并且具有第一直径；以及第二过孔结构，穿过半导体基底和层间绝缘层，第二过孔结构具有在相同的竖直水平处比第一直径大的第二直径。第一过孔结构的侧壁可以包括朝向第一过孔结构的内部水平地突出的至少一个底切区域，并且在底切区域上方的区域处，第一过孔结构和第二过孔结构中的每个的外侧壁可以或者与半导体基底接触或者与层间绝缘层接触。
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