公开(公告)号：CN109540295A

公开(公告)日：2019-03-29

申请号：CN201810337027.8

申请日：2018-04-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴相吉 ,  田炳焕 ,  安泰兴

IPC: G01J3/443 ,  G01J3/02 ,  G01N21/73

Abstract: 本公开提供了原子发射光谱仪、半导体制造系统和半导体元件制造方法。一种原子发射光谱仪(AES)包括：至少一个激光发生器，其被构造为产生激光束；室，其包括布置在室中的椭圆反射镜或球面镜，椭圆反射镜或球面镜被构造为反射透射至室中的激光束，使得激光束会聚和照射至容纳在室中的被分析物上，以产生等离子体并发射等离子体光；供应器，其连接至室，以将被分析物供应至室中；以及光谱仪，其被构造为接收和分析等离子体光，并且获得关于等离子体光的数据以检测被分析物中的元素。

公开(公告)号：CN114360625A

公开(公告)日：2022-04-15

申请号：CN202111175663.3

申请日：2021-10-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴哉垣 ,  朴相吉 ,  李在勋

IPC: G11C29/44 ,  G11C29/56

Abstract: 用于提高可靠性并减少测试时间的一种测试存储器装置的方法、一种存储器内置自测试(MBIST)电路和一种存储器装置。存储器装置包括多个存储体和MBIST电路。MBIST电路被配置为产生双倍数据速率(DDR)测试图案和并行比特测试(PBT)测试图案以测试存储体。当作为PBT测试或DDR测试的结果检测到缺陷单元时，MBIST电路被配置为执行用于用冗余单元替代缺陷单元的修复操作，并且执行重新测试以验证修复操作。MBIST电路可以被配置为在重新测试期间对包括缺陷单元的一个或多个存储器单元执行DDR测试。

公开(公告)号：CN109507190A

公开(公告)日：2019-03-22

申请号：CN201811066403.0

申请日：2018-09-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 安泰兴 ,  金英德 ,  朴相吉 ,  朴峻范 ,  岩阳一郎 ,  田炳焕

IPC: G01N21/88

Abstract: 一种检查设备包括光源。第一测量单元被配置为接收来自光源的光并将其引导到第一测量物体。第二测量单元被配置为接收来自光源的光并将其引导到第二测量物体。检查单元被配置为接收从第一测量单元提供的第一光信号并且使用第一光信号检查第一测量物体，并且接收从第二测量单元提供的第二光信号并且使用第二光信号检查第二测量物体。测量位置选择单元被配置为通过调整反射镜的角度来交替地启用两个测量单元的检查。