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发明公开
集成电路器件审中-公开

公开(公告)号：CN119562758A

公开(公告)日：2025-03-04

申请号：CN202410932156.7

申请日：2024-07-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李睿璱 , 闵淙渶 , 郑圭镐 , 朴晙晰 , 白智睿 , 李真旭

IPC: H10N97/00 , H10B12/00

Abstract: 集成电路器件包括：下部电极；覆盖所述下部电极的电介质膜；覆盖所述电介质膜的上部电极；以及在所述电介质膜和所述上部电极之间的多层界面结构，其中所述多层界面结构包括：包括Al原子分散于其中的过渡金属氧化物层的过渡金属‑铝(Al)复合氧化物层，所述过渡金属‑Al复合氧化物层与所述电介质膜接触；和包括金属氧化物或金属氧氮化物的上部界面层，所述上部界面层与所述过渡金属‑Al复合氧化物层接触。

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