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公开(公告)号：CN118335746A
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202311189525.X
申请日：2023-09-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/092
Abstract: 一种半导体器件包括：第一外延层、第二外延层和第三外延层，顺序地堆叠在衬底上；以及第一扩散防止层，设置在第一外延层和第二外延层之间以及第二外延层和第三外延层之间的区域中的至少一个区域中。第一外延层和第三外延层具有第一导电类型，并且第二外延层具有第二导电类型。第一扩散防止层被配置为防止第二外延层中的杂质扩散。第一外延层、第二外延层和第三外延层中的每一个分别包括第一有源图案、第二有源图案和第三有源图案中的对应一个，第一有源图案、第二有源图案和第三有源图案中的每一个分别设置在第一外延层、第二外延层和第三外延层中的对应一个的上部中，并且处于衬底的集电极区、基极区和发射极区中的对应一个区上。
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