公开(公告)号：CN116153374A

公开(公告)日：2023-05-23

申请号：CN202211384017.2

申请日：2022-11-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴奎河 ,  金大汉

IPC: G11C16/30 ,  G11C16/08

Abstract: 一种非易失性存储器设备，包括：一个或多个存储块，包括连接到多个字线的多个存储单元、以及多个存储单元串；页缓冲器单元；一个或多个通道单元，包括可以向多个字线供给操作电压的多个通道晶体管；一个或多个监视单元，包括连接到多个通道晶体管的一个或多个监视通道晶体管；电压生成器，其可以向要测量泄漏电流的第一通道晶体管、以及一个或多个监视通道晶体管供给激活电压；以及控制逻辑，其可以通过使用电压控制信号来控制电压生成器以生成激活电压，并且基于从一个或多个监视通道晶体管输出的监视电压来检测泄漏电流。

公开(公告)号：CN113140248A

公开(公告)日：2021-07-20

申请号：CN202011223516.4

申请日：2020-11-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴奎河 ,  金炯锡

IPC: G11C16/04 ,  G11C16/10 ,  G11C16/34

Abstract: 提供了非易失性存储器装置和存储装置。该非易失性存储器装置包括：存储器单元阵列，其包括多个存储器单元；以及外围电路，其执行重复执行编程循环的编程操作。编程循环包括通过向从多个存储器单元中选择的存储器单元施加编程电压来执行编程、以及通过向所选择的存储器单元施加多个验证电压来进行第一验证。外围电路响应于第一验证的成功来完成编程操作，通过向所选择的存储器单元施加与多个验证电压不同的附加验证电压来执行第二验证，并且响应于第二验证的失败来确定编程操作已经失败。

公开(公告)号：CN115954035A

公开(公告)日：2023-04-11

申请号：CN202210876134.4

申请日：2022-07-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴奎河 ,  金正悦 ,  李娜利 ,  金大汉

IPC: G11C16/34

Abstract: 公开了非易失性存储器装置和存储装置。所述非易失性存储器装置包括存储器单元阵列、行解码器电路、页缓冲器电路和通过/失败检查电路，行解码器电路选择一条字线作为编程操作的目标，页缓冲器电路存储将在编程操作中被写入与被选择的字线连接的存储器单元中的数据，通过/失败检查电路确定编程操作的通过或失败。在编程操作中，通过/失败检查电路检测第一存储器单元的第一编程速度和第二存储器单元的第二编程速度，并且基于第一编程速度和第二编程速度确定编程失败。