公开(公告)号：CN118486676A

公开(公告)日：2024-08-13

申请号：CN202311534823.8

申请日：2023-11-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔昌玟 ,  金贤慜 ,  朴俊泽 ,  李东镇 ,  李隆彬 ,  林濬熙

IPC: H01L23/528 ,  H01L21/768 ,  H10B41/20 ,  H10B41/35 ,  H10B43/20 ,  H10B43/35 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/088

Abstract: 一种半导体器件，包括第一衬底、设置在第一衬底上的晶体管、以及连接到晶体管的第一互连层。第一互连层包括在平行于第一衬底的顶表面的第一方向上彼此间隔开的第一导线、第二导线和第三导线。第二导线设置在第一导线和第三导线之间。第二导线的顶表面相对于第一衬底的顶表面位于比第一导线和第三导线的顶表面高的高度处。