公开(公告)号：CN110246532A

公开(公告)日：2019-09-17

申请号：CN201910132407.2

申请日：2019-02-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李淳永 ,  金敬纹 ,  张佑在 ,  朱灿种

IPC: G11C16/14 ,  G11C16/34 ,  H01L27/11573 ,  H01L27/11582

Abstract: 非易失性存储器设备包括存储器单元阵列、擦除体电压发生器、和擦除源电压发生器。存储器单元阵列包括存储器块，存储器块中的每一个存储器块包括单元串，每个单元串包括在垂直于基底的方向上堆叠的地选择晶体管、存储器单元、和串选择晶体管。擦除体电压发生器在擦除操作期间将擦除体电压施加到基底。擦除源电压发生器在擦除操作期间将擦除源电压施加到与单元串的地选择晶体管连接的公共源极线。

公开(公告)号：CN110246532B

公开(公告)日：2024-11-19

申请号：CN201910132407.2

申请日：2019-02-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李淳永 ,  金敬纹 ,  张佑在 ,  朱灿种

IPC: G11C16/14 ,  G11C16/34 ,  H10B43/40 ,  H10B43/27

Abstract: 非易失性存储器设备包括存储器单元阵列、擦除体电压发生器、和擦除源电压发生器。存储器单元阵列包括存储器块，存储器块中的每一个存储器块包括单元串，每个单元串包括在垂直于基底的方向上堆叠的地选择晶体管、存储器单元、和串选择晶体管。擦除体电压发生器在擦除操作期间将擦除体电压施加到基底。擦除源电压发生器在擦除操作期间将擦除源电压施加到与单元串的地选择晶体管连接的公共源极线。