公开(公告)号：CN101377955B

公开(公告)日：2013-03-06

申请号：CN200810214917.6

申请日：2008-08-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李龙圭 ,  韩晶昱 ,  田喜锡 ,  文正护 ,  河成烨

IPC: G11C16/28 ,  G11C16/34 ,  G11C16/30 ,  G11C16/02 ,  H01L27/115 ,  H01L21/8247

CPC classification number: G11C16/0433 ,  G11C16/26 ,  H01L27/105 ,  H01L27/11526 ,  H01L27/11529

Abstract: 本发明公开一种电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)单元及其形成和读取方法。在读取EEPROM单元中的数据的方法中，用于读取的位线电压被施加到包括存储器晶体管和选择晶体管的EEPROM单元。第一电压被施加到存储器晶体管的感测线。大于第一电压的第二电压被施加到选择晶体管的字线。将通过EEPROM单元的电流与预定的参考电流对比，以读取存储在EEPROM单元中的数据。EEPROM单元的单元接通电流在擦除状态中会增加，单元中的数据可以被容易地区分。

公开(公告)号：CN101377955A

公开(公告)日：2009-03-04

申请号：CN200810214917.6

申请日：2008-08-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李龙圭 ,  韩晶昱 ,  田喜锡 ,  文正护 ,  河成烨

IPC: G11C16/28 ,  G11C16/34 ,  G11C16/30 ,  G11C16/02 ,  H01L27/115 ,  H01L21/8247

CPC classification number: G11C16/0433 ,  G11C16/26 ,  H01L27/105 ,  H01L27/11526 ,  H01L27/11529

Abstract: 本发明公开一种电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)单元及其形成和读取方法。在读取EEPROM单元中的数据的方法中，用于读取的位线电压被施加到包括存储器晶体管和选择晶体管的EEPROM单元。第一电压被施加到存储器晶体管的感测线。大于第一电压的第二电压被施加到选择晶体管的字线。将通过EEPROM单元的电流与预定的参考电流对比，以读取存储在EEPROM单元中的数据。EEPROM单元的单元接通电流在擦除状态中会增加，单元中的数据可以被容易地区分。