公开(公告)号：CN110739266B

公开(公告)日：2025-05-02

申请号：CN201910653663.6

申请日：2019-07-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金汶根 ,  朴在花 ,  金埈宽 ,  文孝贞 ,  朴承钟 ,  裵涩琪

IPC: H01L21/768

Abstract: 一种制造半导体器件的方法，包括：在衬底上形成第一布线层，所述第一布线层包括第一金属布线和包围所述第一金属布线的第一层间绝缘膜，在所述第一布线层上形成第一通孔层，所述第一通孔层包括与所述第一金属布线电连接的第一通孔和包围所述第一通孔的第二层间绝缘膜；并且在所述第一通孔层上形成第二布线层，所述第二布线层包括与所述第一通孔电连接的第二金属布线和包围所述第二金属布线的第三层间绝缘膜，其中，所述第三层间绝缘膜包含氘并且通过使用包含氘的第一气体和包含氢的第二气体的化学气相沉积而形成。

公开(公告)号：CN110739266A

公开(公告)日：2020-01-31

申请号：CN201910653663.6

申请日：2019-07-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金汶根 ,  朴在花 ,  金埈宽 ,  文孝贞 ,  朴承钟 ,  裵涩琪

IPC: H01L21/768

Abstract: 一种制造半导体器件的方法，包括：在衬底上形成第一布线层，所述第一布线层包括第一金属布线和包围所述第一金属布线的第一层间绝缘膜，在所述第一布线层上形成第一通孔层，所述第一通孔层包括与所述第一金属布线电连接的第一通孔和包围所述第一通孔的第二层间绝缘膜；并且在所述第一通孔层上形成第二布线层，所述第二布线层包括与所述第一通孔电连接的第二金属布线和包围所述第二金属布线的第三层间绝缘膜，其中，所述第三层间绝缘膜包含氘并且通过使用包含氘的第一气体和包含氢的第二气体的化学气相沉积而形成。