静电放电电路和减少半导体芯片的输入电容的方法

    公开(公告)号:CN101079418A

    公开(公告)日:2007-11-28

    申请号:CN200710085885.X

    申请日:2007-03-08

    Inventor: 成明熙 安泳万

    CPC classification number: H01L27/0266

    Abstract: 一种用于半导体芯片的多模静电放电(ESD)电路包括第一和第二ESD二极管。在第一模式中,大于所述半导体芯片的电源电压的本体电压被施加到所述第一ESD二极管,并且小于所述半导体芯片的地电压的本体电压被施加到所述第二ESD二极管。在第二模式中,基本等于所述半导体芯片的电源电压的本体电压被施加到第一ESD二极管的本体,并且基本等于所述半导体芯片的地电压的本体电压被施加到第二ESD二极管。

Patent Agency Ranking