公开(公告)号：CN114864788A

公开(公告)日：2022-08-05

申请号：CN202210108778.9

申请日：2022-01-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李东国 ,  金大燮 ,  申东明 ,  张牛锡 ,  黄善焕

IPC: H01L33/50 ,  H01L33/60 ,  H01L25/075

Abstract: 提供一种半导体发光装置。该半导体发光装置包括：LED芯片，其具有下表面、上表面和位于上表面与下表面之间的侧表面；第一导电凸块和第二导电凸块，其设置在所述下表面上；第一波长转换层，其具有设置在LED芯片的上表面上的第一区域和延伸超过LED芯片的侧表面的第二区域；第二波长转换层，其具有与LED芯片的侧表面接触的第一表面、第二表面、连接第一表面和第二表面并与所述第二区域接触的第三表面、以及与第三表面相对定位并倾斜的第四表面；以及反射树脂部分，其设置在LED芯片的下表面和所述第四表面上。

公开(公告)号：CN116102117A

公开(公告)日：2023-05-12

申请号：CN202211397801.7

申请日：2022-11-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李东国 ,  金大燮 ,  张牛锡 ,  赵萤哲

IPC: C02F1/32 ,  A61L9/20

Abstract: 提供了一种紫外(UV)光源。UV光源包括：衬底，其耦接至上壳体；衬底上的发光二极管(LED)封装件；以及衬底的至少一部分上的防水涂层，其中，LED封装件包括：LED芯片，其被配置为生成UV光；以及透明层，其包括面对LED芯片的下表面、与下表面相对的上表面和将上表面连接至下表面的侧表面，其中，透明层的上表面的至少一部分从防水涂层暴露，并且透明层被配置为直接接触灭菌目标流体。

公开(公告)号：CN110571324A

公开(公告)日：2019-12-13

申请号：CN201910445307.5

申请日：2019-05-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李东国 ,  李大荣 ,  金文燮 ,  安成真 ,  李承桓 ,  任桐均 ,  张牛锡

IPC: H01L33/50 ,  H01L33/44 ,  H01L33/52

Abstract: 提供一种发光二极管装置。该发光二极管装置包括波长转换层、发光二极管层、光透射层和护套层。波长转换层具有第一折射率。发光二极管层包括设置在波长转换层上的基层以及设置在基层上的发光结构。光透射层设置在波长转换层上，围绕发光二极管层的侧壁并与发光二极管层的侧壁接触，并具有第二折射率。护套层设置为覆盖发光二极管层和光透射层，并且具有小于第二折射率的第三折射率。