公开(公告)号：CN117766521A

公开(公告)日：2024-03-26

申请号：CN202311143260.X

申请日：2023-09-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 高在赫 ,  康彰植 ,  金晙赫

IPC: H01L23/60 ,  H01L27/02

Abstract: 一种静电放电器件及包括该静电放电器件的显示驱动芯片。所述静电放电(ESD)器件可以包括：半导体衬底；半导体衬底中的基础阱；在基础阱内的、包括具有第一导电类型的第一杂质区的第一区；在基础阱中的、与第一区在水平方向上间隔开并且包括具有第二导电类型的第二杂质区的第二区；在第一杂质区上与第一杂质区在垂直方向上至少部分地交叠的第一硅化物层；以及在第二杂质区上与第一硅化物层在水平方向上间隔开的第二硅化物层。第二硅化物层可以与第二杂质区在垂直方向上至少部分地交叠。第二导电类型可以与第一导电类型相反。

公开(公告)号：CN101237233A

公开(公告)日：2008-08-06

申请号：CN200810088119.3

申请日：2008-01-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金炯泰 ,  康彰植 ,  朴天郁

IPC: H03K19/0185 ,  H03F3/45 ,  G09G3/36

CPC classification number: H03F3/45192 ,  H03F1/083 ,  H03F3/3022 ,  H03F2203/30015 ,  H03F2203/45091 ,  H03F2203/45248 ,  H03F2203/45626

Abstract: 本发明披露了具有转换速率偏移的输出缓冲器和包括其的源极驱动器。该输出缓冲器具有：差分输入电路，将通过正输入端和负输入端输入的差分电压信号转换成差分电流信号，并输出该差分电流信号。该差分输入电路可以包括多个PMOS晶体管和多个NMOS晶体管。该输出缓冲器还包括转换速率匹配电路，其补偿形成在多个PMOS晶体管周围的第一寄生电容器的分量和形成在多个NMOS晶体管周围的第二寄生电容器的分量之间的差值。

公开(公告)号：CN100430911C

公开(公告)日：2008-11-05

申请号：CN200310118843.3

申请日：2003-11-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 康彰植 ,  全龙源

IPC: G06F13/38 ,  G09G3/20 ,  H03K19/003

CPC classification number: G09G5/006 ,  G09G3/3611 ,  G09G2300/0426 ,  G09G2330/06

Abstract: 本发明部分地提供一种在数据线上接收(和类似地发送)数据信号的方法(和对应的装置)。这样接收方法包括：将所述数据线组织成组，每组具有N个输入数据信号和M个基准信号，其中N是非零的正整数；将M条基准线与每组N个输入数据线相关联，其中M是非零正整数并且N＞M；接收在所述数据线上的数据和在所述基准线上的基准信号；分别按照在所述N条数据线上的电流和在所述M条基准线上的电流之间的差来对于每个组确定在所述数据线上的数据值。

公开(公告)号：CN1530899A

公开(公告)日：2004-09-22

申请号：CN200310118843.3

申请日：2003-11-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 康彰植 ,  全龙源

IPC: G09G3/20 ,  G06F13/00

CPC classification number: G09G5/006 ,  G09G3/3611 ,  G09G2300/0426 ,  G09G2330/06

Abstract: 本发明部分地提供一种在数据线上接收(和类似地发送)数据信号的方法(和对应的装置)。这样接收方法包括：将所述数据线组织成组，每组具有N个输入数据信号和M个基准信号，其中N是非零的正整数；将在M条基准线上的M个基准信号与每组N个输入数据线相关联，其中M是非零正整数并且N＞M；接收在所述数据线上的数据和在所述基准线上的基准信号；分别按照在所述N条数据线上的信号参数和在所述M条基准线上的信号参数之间的差来对于每个组确定在所述数据线上的数据值。

公开(公告)号：CN115775799A

公开(公告)日：2023-03-10

申请号：CN202211080214.5

申请日：2022-09-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 高在赫 ,  康彰植

IPC: H01L27/02

Abstract: 提供了一种静电放电(ESD)器件以及包括该静电放电器件的显示驱动芯片。所述ESD器件可以包括半导体衬底，所述半导体衬底包括第一区、第二区和器件隔离结构。所述第一区可以包括具有第一导电类型的第一杂质区、具有与所述第一导电类型相反的第二导电类型的第二杂质区、第一基阱和位于所述第一基阱中的第一阱。所述器件隔离结构可以位于所述第一杂质区与所述第二杂质区之间。所述第一基阱可以在所述衬底中围绕所述第一杂质区、所述第二杂质区和所述器件隔离结构的下部。所述第一阱可以具有所述第一导电类型。所述第一阱可以在第一方向上与所述器件隔离结构间隔开，且所述第一基阱的一部分位于所述第一阱与所述器件隔离结构之间。

公开(公告)号：CN102243836A

公开(公告)日：2011-11-16

申请号：CN201110119073.9

申请日：2011-05-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 黄柱元 ,  康彰植

IPC: G09G3/20

CPC classification number: G09G3/20 ,  G09G2310/027 ,  G09G2370/08 ,  G09G2370/14

Abstract: 一种驱动显示面板的数据驱动器包括：数据处理单元，与主时钟信号同步地接收数字数据并存储该数字信号；和驱动信号输出单元，响应于驱动指示信号产生与数字数据对应的驱动信号，并将该驱动信号输出到显示面板。该数据处理单元在根据设置信号确定的激活时间激活。